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세계 최초로 III-V 반도체 나노와이어의 대면적 제조기술 개발

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기관명	NDSL
작성자	글로벌 과학기술정책 정보서비스
작성일자	2013-06-17 00:00:00.000
내용	국내 연구진이 금속 촉매나 나노 패터닝 없이 대면적의 반도체 나노와이어를 효율적으로 합성하는 기술을 개발했다. 금속 촉매는 반도체 특성을 떨어뜨리는 불순물로 작용하고, 패턴 공정은 비용과 시간이 많이 드는 한계가 있다. 연구진은 실리콘 기판과 화합물 반도체(Ⅲ-Ⅴ 반도체)를 이용해 이런 한계를 극복했다. 실리콘 기판과 Ⅲ-Ⅴ 반도체 물질 사이의 격자 상수 차이에서 발생하는 스트레인을 이용해 무촉매 방식으로 나노와이어를 성장시켰다. 또한 실리콘 기판 표면처리 기술을 개발하여 화합물 반도체인 InAsP 나노와이어를 2인치 웨이퍼 상에 균일하게 성장하는 기술을 세계 최초로 개발했다.
출처
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=TREND&cn=ARTI-00000001599
첨부파일

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