나노소자의 대량생산을 앞당겨줄 직접 쓰기 공정
기관명 | NDSL |
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작성자 | 글로벌 과학기술정책 정보서비스 |
작성일자 | 2010-07-12 00:00:00.000 |
내용 | 기존의 나노소자 제조 기술인 전자빔 리소그래피와 원자외선 (deep-UV) 을 거치지 않고 직접적으로 기판위에 정교한 전계효과 트랜지스터를 형성할 수 있는 기술이 개발되었다 . 싱가포르의 바이오나노기술연구소가 개발한 직접 쓰기 (direct writing) 기술은 집속 전자빔 또는 이온빔을 전구 가스 (precursor gas) 가 존재하는 샘플 위에 주사함으로서 금속 또는 절연체가 샘플 위에 증착되고 나노미터 해상도를 나타낸다 . 이로 인해 나노크기 논리회로 제조와 대용량 생산 가능성이 높아졌다 . 단결정 산화아연 나노와이어에 E-mode 와 D-mode 전계효과 트랜지스터가 통합된 나노크기 논리 인버터의 전기적 성질과 직접 쓰기 공정에 관한 결과가 연구진에 의해 보고되었다 . |
출처 | |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=TREND&cn=ARTI-00000000788 |
첨부파일 |
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