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그래핀과 관련 2차원(2D) 재료는 지난 수년간 엄청난 관심과 투자를 불러 일으켰지만, 시장에서 볼 수 있는 2D 재료 기반 상용 장치의 사용은 아직 미비하다. 연구팀은 2D 물질(그래핀/육각형-붕소-질화물/그래핀 기반 저항성 스위칭 소자의 다중 필라멘트 전도 모델)에 그래핀/육각형-붕소-질화물/그래핀 (G/ h-BN/G) 반 데르 발스 구조를 이용한 저항성 랜덤 액세스 메모리(RRAM)를 합성했다. 또한, 연구팀은 기능을 정확하게 묘사하기 위해 거시 컨덕터에 대한 비선형 란다우어(Landauer) 접근법에 기반한 소형 모델을 개발했다. 이 경우, 원자 크기의 필라멘트가 2D 재료 시스템 내에서 형성된다. 이 소형 모델은 전반적으로 우수한 피팅 결과를 제공하고, 잠재적인 장벽 높이인 필라멘트 경로의 특정 관점에서 사이클과 사이클 사이에서 얻은 데이터의 분산을 설명할 수 있다. 전자 장치의 기능을 설명하는 이론적인 모델의 개발은 대량 생산 전에 필수적인 시스템 시뮬레이션을 가능하게 한다. 이 경우, RRAM 장치는 미래의 고밀도 정보 저장을 위한 가장 유망한 기술이다. |
