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2. 샌디아 국립 연구소 표면 플라즈몬 매개 InGaN 다이오드를 나노 패턴된 금속 막으로 구현. 이 프로젝트는 표면 플라즈몬의 이점을 이용하는 고효율 발광 다이오드 개발을 목표로 한다. 표면 플라즈몬은 금속과 반도체 간의 전자기파로서 기존 발광 다이오드보다 약 90배 이상 발광 효율을 높일 수 있다. 이 프로젝트는 플라즈몬 효과에서 나오는 이점들을 이용하는 전자 주입식 기기를 개발하는 것을 목표로 한다. 과제비는 795,000달러이다. 샌디아 국립연구소; 나노선 기판 수평 GaN 저 dislocation 성장. 이 프로젝트는 고 효율 발광 다이오드를 가능케 하는 저 defect GaN 기판 제각을 목표로 한다. 목표는 수평으로 성장하며 양질의 평판 막으로 되는 GaN 나노선의 성장 기술을 제안하는 것이다. 과제비는 616,000달러이다. 샌디아 국립연구소; GaN 기판의 dislocation 감소를 위한 질화물 막 나노 구조 공학. 이 프로젝트는 MOCVD 성장 방법을 이용하여 기기의 효율을 떨어뜨리는 사파이어 기판 GaN dislocation을 줄이는 것을 목표로 한다. 핵 밀도와 dislocation 밀도의 상관관계를 확립하는 것이 이 연구의 첫 번째 목표이다. 이 후에 GaN 막을 완전히 융합시키면서 핵 밀도를 줄이는 방법을 개발하려고 한다. 과제비는 605,000달러이다. 오크리지 국립연구소 저가 고 효율 유기 발광 다이오드를 위한 나노 투명 전극. 이는 유기 발광 다이오드의 효율을 극대화할 수 있는 데 핵심적인 두 가지 도전을 다룬다. 이는 싱글렛과 트리플렛 비율의 조절을 통해 내부 양자 효율을 높이는 것과 저가 투명 전극으로서 탄소 나노튜브를 사용하여 반송자의 수송 현상을 높이는데 있다. 과제비는 60만 달러이다. 로스 알라모스 국립연구소 하이브리드 나노입자/유기 반도체 연구. 이 프로젝트의 목적은 고 효율, 저 전압, 안정적인 하이브리드 유기 발광 다이오드의 개발에 있다. 이 새로운 형태의 하이브리드 발광 다이오드는 유기물/무기물 나노 입자 반도체에서 제작될 수 있다. 과제비는 80만 달러이다. 아르곤 국립연구소 저가 투명 전도성 나오 입자 네트워크. 투명 전도성 산화물의 개발은 유기 발광 다이오드 효율을 위해 핵심적이다. 이 프로젝트는 기존의 산화물보다 같은 전기 전도도 하에서 더 투명한 전도성 입자들의 네트워크를 만드는 혁신적인 투명 전도성 막을 개발하는데 목적을 두고 있다. 과제비는 95만 6100달러이다. * yesKISTI 참조 |
