| 기업공감원스톱서비스

간단 열처리로 양극성 반도체 극성 조절

기관명, 작성자, 작성일자, 내용, 출처, 원문URL, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
작성자	글로벌 과학기술정책 정보서비스
작성일자	2012-10-15 00:00:00.000
내용	울산과기대 연구진이 유기박막 트랜지스터의 고질적 문제인 전자와 정공 이동도의 불균형을 열처리로 간단히 해결하는 방법을 고안했다. 열처리로 고분자 재료의 작용기를 제거한 뒤 고분자 사슬간의 수소결합을 유도해 분자간 상호작용을 증가시키고 사슬간 거리를 좁힘으로써 전자와 정공의 이동 특성을 높이는 기술이다. 그 결과 열처리 전에는 정공 이동도가 우세해 p형이 주극성이었지만, 열처리 후에는 전자 이동도가 우세해져 n형이 주극성이 되었다. 이로서 하나의 고분자 반도체를 이용해 p형과 n형 반도체 특성을 모두 구현할 수 있는 간단한 방안을 제시했다. 현재 고성능 양극성 고분자를 개발 중에 있으며, 향후 저렴하면서도 가볍고 유연한 전자기기 제조를 앞당길 것이라고 연구진이 밝혔다.
출처
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=TREND&cn=ARTI-00000001439
첨부파일

기업조회