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모스크바 물리기술대, 네브라스카대(미국), 로잔 대(스위스) 팀이 세계 최초로, 두께 2.5nm의 산화 하프늄과 산화 지르코늄 합금 다결정 막이 필요한 강유전체 성질을 보유하고 있음을 실험적으로 입증하고 시연했다. 이 막을 기초로 불 휘발성 메모리 소자를 개발할 수 있다. 연구 결과는 ACS Appl. Mater. Interfaces지에 게재되었다. 세계적으로 1.5년마다 배가되는 정보량을 처리하기 위한 이상적인 메모리는 램 속도가 빠르고 하드디스크 정도의 용량을 갖고 있는 불휘발성 메모리 소자이다. 특히 가장 유망한 강유전체 터널 접합 기반 불휘발성 메모리 소자는, 매우 고밀도이며 기록 및 판독 속도가 빠르고 전력 소비가 적을 것으로 기대된다. 그러나 현재까지 제작된 기존 강유전체 기반 장치의 프로토타입은 실리콘 기술과 호환성이 없는 문제가 있다. 이번에 개발된 다결정 막은 이 문제를 해결할 수 있다. 수 년 전, 실리콘 논리칩 제조에 사용되는 산화 하프늄의 개질된 일종이 강유전체적 성질을 가지고 있음이 발견되었다. 러시아 과학자들은 이 물질의 강유전체적 성질을 보존하면서 실리콘 기판 위에 초박 터널-투명 막을 성장시키는데 성공하여 불휘발성 컴퓨터 메모리 개발의 길을 열었다. |
