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극자외선 이용, 산화물 반도체 소자 개발

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기관명	NDSL
작성자	글로벌 과학기술정책 정보서비스
작성일자	2012-09-24 00:00:00.000
내용	국내 연구진이 극자외선(Deep Ultraviolet, 파장이 300 nm 이하)을 이용한 산화물 반도체 제조 원리를 규명하고, 이를 이용해 열에 약한 플라스틱 기판에서도 반도체를 구현해 제조비용을 획기적으로 줄이는 방법을 개발했다. 기존 실리콘 소자에 비해 산화물 반도체는 투명하고 반응성이 낮아 용액 공정이 용이하며, 10배 이상의 전기 이동도를 갖고 있어 차세대 반도체 물질로 각광 받고 있다. 그러나 용액형 산화물 반도체는 고온(350℃~500℃)의 열처리 공정을 필요로 하기 때문에 플렉시블 디스플레이나 열에 약한 플라스틱 기판에는 적용할 수 없다. 연구팀은 산화물 반도체를 만들기 위한 용액 물질에 극자외선을 쬐어줌으로써 물질과 빛의 화학반응이 일어나는 새로운 에너지 전달체계를 규명했고, 이를 응용해 플라스틱과 같은 유연한 기판에 집적회로를 구현하는데도 성공했다.
출처
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=TREND&cn=ARTI-00000001427
첨부파일

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