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휘는 반도체 성능 2배로 올린다

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기관명	NDSL
작성자	글로벌 과학기술정책 정보서비스
작성일자	2012-12-10 00:00:00.000
내용	국내 연구진이 자유자재로 휘는 차세대 반도체 고분자 메모리의 성능을 손쉽게 2배 이상 높일수 있는 기술을 개발했다. 차세대 강유전체 메모리에 가하는 전압을 조절해 셀당 4가지 이상의 정보를 담는 방법을 적용했다. 연구진은 전압의 크기를 변화시켜 강유전체 고분자의 분극을 조절할 수 있다는 사실을 규명하고, 이 원리를 이용해 유연한 멀티레벨 반도체의 성능을 높이는 데 성공했다. 멀티레벨 반도체는 2개 상태만 기록하는 고분자 메모리와 달리 4가지(정보량 2비트) 이상의 상태를 기억한다. 이 기술은 기존 공정보다 간단하고 가격도 저렴해 유연한 메모리의 상용화 가능성을 높일 전망이다.
출처
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=TREND&cn=ARTI-00000001479
첨부파일

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