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플렉서블한 고성능 전자소자를 위한 새로운 구조의 트랜지스터

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기관명	NDSL
작성자	글로벌 과학기술정책 정보서비스
작성일자	2011-02-22 00:00:00.000
내용	미국 조지아공과대학 연구진들이 탑 - 게이트 유기 전계효과 트랜지스터 (Top-gate organic field-effect transistor) 를 이중층 게이트와 결합한 새로운 방법을 발표했다 . 이로 인해 , 소자 구동에 필요한 전류를 유지하면서도 동시에 안정성이 높은 트랜지스터 제조가 가능하게 되었다 . 또한 일반 대기 환경에서도 대량생산이 가능해졌다 . 이중층 유전체는 CYTOP 라고 알려진 불소계 고분자와 원자층 증착에 의해 생성된 고유전율 금속 산화물층으로 만들어졌다 .
출처
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=TREND&cn=ARTI-00000000955
첨부파일

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