플렉서블 메모리
기관명 | NDSL |
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작성자 | 글로벌 과학기술정책 정보서비스 |
작성일자 | 2011-08-30 00:00:00.000 |
내용 | BOM (쌍안정성 유기 메모리, bistable organic memory) 셀은 차세대 소자 제조에 유용하며 초박막 흑연 시트 (UGS, ultrathin graphite sheet)로 구성되어 저렴하고 간단하게 대면적 제조가 가능하다. 국내 연구진이 다층구조의 PMMA/UGS/PMMA 고분자 복합소재를 기반으로 하는 플렉시블BOM 소자를 제조하였으며, 이소자가 휨 현상에 반응하는 특성을 연구했다. 소자의 휨 현상 전후의 기억 안정성, 기억 메커니즘 및 전기적 쌍안정성 등을 조사한 결과, USG와 PMA 기반 BOM 소자가 그라펜 기반 BOM과 거의 유사한 기능을 나타내어 차세대 투명 플렉서블 비휘발성 기억소자에 유용하게 적용될 수 있음이 증명되었다. |
출처 | |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=TREND&cn=ARTI-00000001074 |
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