그래핀을 뛰어넘는 실리센이 트랜지스터로 데뷔
기관명 | NDSL |
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작성자 | 글로벌 과학기술정책 정보서비스 |
작성일자 | 2015-02-09 00:00:00.000 |
내용 | 텍사스대 연구진이 그래핀과 유사한 형태의 실리콘 기반 2차원 벌집 결정 구조인 실리센을 반도체에 최초로 적용해 실온에서 작동시키는데 성공했다. 실리센은 그래핀과는 달리 트랜지스터에 필요한 밴드갭을 갖고 있기 때문에 반도체에 활용하기 간편하다. 진공 챔버에서 결정성 은 블록에 증발된 실리콘 원자두께 층을 응축시키고 그 위에 나노미터 두께의 알루미나로 실링한 후, 실리센을 벗겨내어 산화실리콘 기재에 얹는 방법으로 트랜지스터를 제조했다. 비록 몇 분의 수명을 나타내기는 했지만 실리센은 향후 반도체 분야의 혁명을 가져올 것으로 기대되고 있다. |
출처 | |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=TREND&cn=ARTI-00000002068 |
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