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특허/실용신안

개질된 나노구조체, 그 제조 방법 및 개질된 나노구조체 제조용 전자빔의 제어 방법

특허 실용신안 개요

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기관명 NDSL
출원인 고려대학교 산학협력단
출원번호 10-2009-0013373
출원일자 2009-02-18
공개번호 20100831
공개일자 2011-09-29
등록번호 10-1069069-0000
등록일자 2011-09-23
권리구분 KPTN
초록 나노구조체, 그 제조 방법, 나노구조체 제조용 전자빔의 제어 방법, 및 나노구조체를 제조하기 위한 π-공액 전도성 고분자 구조체의 물리적 특성을 변화시킬 수 있는 방법이 개시된다. 나노구조체 제조 방법은 일면에 전극이 형성되어 있는 나노다공성 템플레이트를 준비하는 단계; 나노다공성 템플레이트의 기공 내부에 π-공액 전도성 고분자 원료 조성물을 주입하여 π-공액 전도성 고분자 구조체를 형성하는 단계; π-공액 전도성 고분자 구조체에 미리 제어된 전자빔을 조사하는 단계; 및 나노다공성 템플레이트를 제거하는 단계를 포함한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020090013373
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE B82B-003/00,B82B-001/00,B82Y-040/00
주제어 (키워드)