은 입자의 제조 방법 및 당해 방법에 의해 제조되는 은 입자
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 |
| 출원번호 | 10-2016-7016391 |
| 출원일자 | 2016-06-20 |
| 공개번호 | 20160728 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 본 발명은, 열 분해성을 갖는 은 화합물과 아민 화합물을 혼합하여 전구체인 은-아민 착체를 제조하는 공정과, 상기 은-아민 착체를 그 분해 온도 이상의 가열 온도에서 가열하여 은 입자를 석출시키는 공정을 포함하는 은 입자의 제조 방법에 있어서, 상기 은 화합물로서 탄산은을 사용하고, 상기 아민 화합물로서, 적어도 한쪽 말단이 1급 아미노기이며, 탄소수 4 내지 10의 소정의 탄화수소기 R을 포함하는 아민 화합물을 혼합하여 은-아민 착체를 제조하는 은 입자의 제조 방법이다.평균 입경 20㎚ 내지 200㎚의 범위 내에서 입경을 제어할 수 있어, 입경이 맞추어진 은 입자를 제조할 수 있는 방법을 제공한다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167016391 |
| 첨부파일 |
| 과학기술표준분류 | |
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| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | B22F-009/30,B22F-001/00,H01B-001/02 |
| 주제어 (키워드) |