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양자점 띠내 전자전이 제어법

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기관명	NDSL
출원인	고려대학교 산학협력단
출원번호	10-2018-0048857
출원일자	2018-04-27
공개번호	20191106
공개일자	2020-03-04
등록번호	10-2084675-0000
등록일자	2020-02-27
권리구분	KPTN
초록	본 발명은 양자점의 구성물질 고유의 흡발광 영역을 넘어 고유의 밴드갭보다 작은 영역에서의 전자 전이를 제어하고 나아가 국소 표면 플라즈몬 공명 영역으로의 전자 전이를 제어할 수 있는 양자점, 이를 포함하는 광 검출 소자, 양자점 제조방법, 양자점의 전자 전이 제어방법에 관한 것이다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020180048857
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