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저온에서 SiN을 퇴적시키기 위한 Si 전구체들

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기관명	NDSL
출원인	에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
출원번호	10-2023-0037451
출원일자	2023-03-22
공개번호	20230330
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	원자층 퇴적(ALD에 의하여 실리콘 질화물 막들을 퇴적시키기 위한 전구체들과 방법들이 제공된다.일부 구현예들에서, 실리콘 전구체들은 요오드 리간드를 포함한다.실리콘 질화물 막들은 FinFET류 또는 다른 타입의 다중 게이트 FET류와 같은 3-차원 구조물 위에 퇴적되었을 때 수평 부분과 수직 부분 모두에 대하여 상대적으로 균일한 식각 속도를 가질 수 있다.일부 구현예들에서, 본 발명의 다양한 실리콘 질화물 막들은 열 산화물 제거 속도의 절반 미만의 식각 속도를 묽은 HF(0.5%)에서 갖는다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020230037451
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