β-Ga₂O₃계 단결정의 성장 방법
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | , |
| 출원번호 | 10-2019-7020197 |
| 출원일자 | 2019-07-11 |
| 공개번호 | 20190725 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 쌍정화를 효과적으로 억제할 수 있는 β-Ga 2 O 3 계 단결정의 성장 방법을 제공한다.일 실시 형태에 있어서, EFG법을 이용한 β-Ga 2 O 3 계 단결정(25)의 성장 방법이며, 종결정(20)을 Ga 2 O 3 계 융액(12)에 접촉시키는 공정과, 종결정(20)을 끌어올려, 네킹 공정을 행하지 않고 β-Ga 2 O 3 계 단결정(25)을 성장시키는 공정을 포함하고, 모든 방향에 있어서 β-Ga 2 O 3 계 단결정(25)의 폭이 종결정(20)의 폭의 110% 이하인, β-Ga 2 O 3 계 단결정(25)의 성장 방법을 제공한다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020197020197 |
| 첨부파일 |
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | C30B-029/16,C30B-015/34,C30B-015/36 |
| 주제어 (키워드) |