선택적 에피택셜 성장된 III-V족 재료 기반 디바이스
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 인텔 코포레이션 |
| 출원번호 | 10-2015-7032315 |
| 출원일자 | 2015-11-11 |
| 공개번호 | 20160512 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 제1 III-V족 재료 기반 버퍼층은 실리콘 기판 상에 퇴적된다.제2 III-V족 재료 기반 버퍼층은 제1 III-V족 재료 기반 버퍼층 상에 퇴적된다.III-V족 재료 기반 디바이스 채널층은 제2 III-V족 재료 기반 버퍼층 상에 퇴적된다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157032315 |
| 첨부파일 |
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | H01L-029/66,H01L-021/02,H01L-029/78 |
| 주제어 (키워드) |