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에칭 방법

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기관명	NDSL
출원인	도쿄엘렉트론가부시키가이샤
출원번호	10-2016-0004751
출원일자	2016-01-14
공개번호	20160728
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	(과제) 질화실리콘으로 구성된 제 2 영역이 깎이는 것을 억제하면서, 산화실리콘으로 구성된 제 1 영역을 에칭한다. (해결 수단) 일 실시 형태의 방법은, 제 1 영역을 에칭하기 위해, 1회 이상의 제 1 시퀀스가 실행되고, 그러한 후에, 1회 이상의 제 2 시퀀스가 실행된다.1회 이상의 제 1 시퀀스의 각각, 및, 1회 이상의 제 2 시퀀스의 각각은, 피처리체상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 제 1 공정과, 퇴적물에 포함되는 플루오로카본의 라디칼에 의해 제 1 영역을 에칭하는 제 2 공정을 포함한다.1회 이상의 제 1 시퀀스의 각각에 의해 제 1 영역이 에칭되는 양은, 1회 이상의 제 2 시퀀스의 각각에 의해 제 1 영역이 에칭되는 양보다 적다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160004751
첨부파일