자기 정렬 캡의 형성 방법 및 장치
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 인텔 코포레이션 |
| 출원번호 | 10-2016-7003215 |
| 출원일자 | 2016-02-04 |
| 공개번호 | 20160303 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 기판 위 유전체층 내의 적어도 하나의 전도성 라인이 리세싱되어 채널이 형성된다.상기 채널은 상기 전도성 라인에 자기 정렬된다(self-aligned).상기 채널은 억제제(inhibitor)를 포함하는 화학물질을 이용하여 상기 전도성 라인을 미리정해진 깊이로 에칭함으로써 형성되어 결정학적 배향(crystallographic orientation)과 관계없이 에칭의 균일성을 제공할 수 있다.상기 채널 내의 상기 리세싱된 전도성 라인 상에 전자이동을 방지하는 캐핑층(capping layer)이 퇴적된다.상기 채널은 상기 전도성 라인의 폭 내에 상기 캐핑층을 포함하도록 구성된다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167003215 |
| 첨부파일 |
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | H01L-023/532,H01L-021/768,H01L-023/485,H01L-023/528 |
| 주제어 (키워드) |