인-시튜 챔버 처리 및 증착 프로세스
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 |
| 출원번호 | 10-2016-7000331 |
| 출원일자 | 2016-01-07 |
| 공개번호 | 20160128 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 본 발명의 실시예들은 처리 챔버의 내부 표면들을 처리하고 원자층 증착(ALD) 또는 화학 기상 증착(CVD)와 같은 기상 증착 프로세스 동안 물질을 증착하기 위한 방법을 제공한다. 일 실시예에서, 처리 챔버의 내부 표면들 및 기판은 선처리 프로세스 동안 수소화 리간드 화합물과 같은 시약에 노출될 수 있다.수소화 리간드 화합물은 이후의 기상 증착 프로세스 동안 사용되는 금속-유기 전구체로부터 형성된 프리 리간드와 동일한 리간드일 수 있다.프리 리간드는 통상 증착 프로세스 동안 수소화 또는 열분해(thermolysis)에 의해 형성된다.일 예에서, 처리 챔버 및 기판은 펜타키스(디메틸아미노) 탄탈(PDMAT)과 같은 알킬아미노 리간드들을 가지는 금속-유기 화학 전구체를 이용하는 기상 증착 프로세스를 수행하기 전에 선처리 프로세스 동안 알킬아민 화합물(예, 디메틸아민)에 노출된다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167000331 |
| 첨부파일 |
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | H01L-021/02,C23C-016/34,C23C-016/44,C23C-016/455,H01L-021/28 |
| 주제어 (키워드) |