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디바이스 이득 및 수율 향상을 갖는 금속 게이트 구조물

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기관명	NDSL
출원인	타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
출원번호	10-2016-0023494
출원일자	2016-02-26
공개번호	20160317
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명개시는 반도체 구조물을 제공한다.반도체 구조물은 반도체 기판; 및 반도체 기판 상에 배치된 게이트 스택을 포함한다.게이트 스택은 고유전율 유전체 물질층, 고유전율 유전체 물질층 위의 티타늄 농후 TiN 층, 및 티타늄 농후 TiN층 위에 배치된 금속층을 포함한다.금속층은 알루미늄을 포함한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160023494
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