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마이크로전자 트랜지스터 콘택 및 그 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	인텔 코포레이션
출원번호	10-2016-7010084
출원일자	2016-04-18
공개번호	20160728
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 설명의 트랜지스터 콘택은 마이크로전자 기판 상에 배치된 층간 유전체 층을 통해 비아를 형성함으로써 제조될 수 있으며, 비아는 층간 유전체 층의 제1 표면으로부터 마이크로전자 기판까지 연장하여, 비아 측벽을 형성하고, 마이크로전자 기판의 일부를 노출시킨다.이어서, 마이크로전자 기판의 노출된 부분, 적어도 하나의 비아 측벽 및 층간 유전체 제1 표면에 인접하게 등각 콘택 재료층이 형성될 수 있다.마이크로전자 기판에 근접하게 비아 내에 에치 블록 플러그가 형성된다.에치 블록 플러그에 의해 보호되지 않는 콘택 재료층이 제거되고, 이어서 에치 블록 플러그가 제거되고, 비아가 도전성 재료로 충전될 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167010084
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