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특허/실용신안
다층 반도체 디바이스 구조물
특허 실용신안 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 |
| 출원번호 | 10-2016-0065675 |
| 출원일자 | 2016-05-27 |
| 공개번호 | 20160616 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 반도체 디바이스 구조물, 및 반도체 디바이스 구조물을 제조하는 방법이 제공된다.제 1 디바이스층이 기판 위에 형성되고, 여기서 정렬 구조물이 제 1 디바이스층에 패턴화된다.유전체층이 제 1 디바이스층 위에 제공된다.유전체층은 정렬 구조물 위에 개구부를 포함하도록 패턴화된다.제 2 디바이스층이 유전체층 위에 형성된다.제 2 디바이스층은 마스크층을 이용하여 패턴화되고, 마스크층은 정렬 구조물에 대하여 정렬되는 구조물을 포함한다.정렬 구조물은 제 2 디바이스층의 패턴화 동안에 개구부를 통해 보여질 수 있다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160065675 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | |
| 주제어 (키워드) |