결합된 자유 자성 층들을 갖는 수직 스핀 전달 토크 메모리(STTM) 디바이스
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 인텔 코포레이션 |
| 출원번호 | 10-2016-7003987 |
| 출원일자 | 2016-02-16 |
| 공개번호 | 20160609 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 안정성 및 댐핑이 향상된 수직 스핀 전달 토크 메모리(STTM) 디바이스들이 개시된다.예를 들어, 자기 터널링 접합을 위한 재료 층 스택은 고정 자성 층을 포함한다.고정 자성 층 위에 유전체 층이 배치된다.유전체 층 위에 제1 자유 자성 층이 배치된다.제2 자유 자성 층이 제1 자유 자성 층과 자기적으로 결합된다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167003987 |
| 첨부파일 |
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | H01L-043/10,H01L-027/22,H01L-043/02,H01L-043/08 |
| 주제어 (키워드) |