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특허/실용신안
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
특허 실용신안 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 후지필름 가부시키가이샤 |
| 출원번호 | 10-2016-7014266 |
| 출원일자 | 2016-05-27 |
| 공개번호 | 20160630 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 기판 상에, 적어도 게이트 전극, 게이트 절연막, 활성층, 소스 전극, 및 드레인 전극이 형성되고, 활성층 상에 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 박막 트랜지스터이다. 활성층은, 아모르퍼스 산화물 반도체에 의해 구성되어 있다. 게이트 절연막 내에 존재하는 제 1 수분량은, 활성층에 존재하는 제 2 수분량보다 적다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167014266 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | H01L-029/786,H01L-029/49,H01L-029/51,H01L-029/66 |
| 주제어 (키워드) |