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박막 트랜지스터의 반도체층용 산화물 및 스퍼터링 타깃 및 박막 트랜지스터

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기관명	NDSL
출원인	,
출원번호	10-2016-7019837
출원일자	2016-07-20
공개번호	20160808
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명에 관한 박막 트랜지스터의 반도체층용 산화물은, Zn, Sn 및 In을 포함하고, 산화물에 포함되는 금속 원소의 함유량(원자%)을 각각, [Zn], [Sn] 및 [In]으로 하였을 때, 하기 수학식 1 내지 3을 만족하는 것이다. [수학식 1] [수학식 2] [수학식 3] 본 발명에 따르면, 높은 이동도를 실현할 수 있고, 또한, 스트레스 내성(스트레스 인가 전후의 임계값 전압 시프트량이 적은 것)도 우수한 박막 트랜지스터용 산화물을 제공할 수 있었다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167019837
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