박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, 어레이 기판, 및 디스플레이 디바이스
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 |
| 출원번호 | 10-2016-7020244 |
| 출원일자 | 2016-07-25 |
| 공개번호 | 20160811 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 박막 트랜지스터, 그 제조 방법, 어레이 기판, 및 디스플레이 디바이스가 개시된다.박막 트랜지스터는 기판; 기판 위에 형성된 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 및 반도체층; 게이트 전극과 반도체층 사이 또는 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 게이트 절연층; 반도체층과 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 있으며, 소스 컨택 홀 및 드레인 컨택 홀을 갖는 식각 정지층; 및 소스 전극과 반도체층 사이의 소스 버퍼층 및 드레인 전극과 반도체층 사이의 드레인 버퍼층을 포함한다.소스 전극 및 드레인 전극은 금속 Cu 전극이고, 소스 버퍼층 및 드레인 버퍼층은 Cu 합금층이다.소스 버퍼층 및 드레인 버퍼층의 형성은 아래 있는 반도체층에 대한 소스 전극 및 드레인 전극의 접착력을 개선하며 이로써 TFT의 성능 및 화질을 개선한다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167020244 |
| 첨부파일 |
| 과학기술표준분류 | |
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| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | |
| 주제어 (키워드) |