실리콘 및 실리콘 게르마늄 나노와이어 구조물
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 인텔 코포레이션 |
| 출원번호 | 10-2016-7013521 |
| 출원일자 | 2016-05-23 |
| 공개번호 | 20160616 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 마이크로전자 구조물들을 형성하는 방법들이 설명된다.이들 방법의 실시예들은 스페이서들에 인접한 소스/드레인 구조물들과 스페이서들 사이에 배치된 나노와이어 채널 구조물들 - 나노와이어 채널 구조물들은 서로의 위로 수직으로 스택되어 있음 - 을 포함하는 나노와이어 장치를 형성하는 것을 포함한다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167013521 |
| 첨부파일 |
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | H01L-029/66,H01L-029/417,H01L-029/423,H01L-029/775,H01L-029/78,H01L-029/786 |
| 주제어 (키워드) |