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노광방법

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기관명	NDSL
출원인	소니 가부시끼 가이샤
출원번호	10-2000-0063523
출원일자	2000-10-27
공개번호	20080509
공개일자	2007-07-04
등록번호	10-0735857-0000
등록일자	2007-06-28
권리구분	KPTN
초록	극자외선(極紫外線)(EUV)의 파장영역에서의 레지스트층의 광투과율을 향상하여, 이제까지 이상의 극미세(極微細) 가공을 가능하게 하는 반도체의 극미세 가공을 위한 노광방법이다. 레지스트층을 선택적으로 X선으로 노광(露光)하는 데 있어서, 레지스트층을 구성하는 고분자 재료로서, 기존 레지스트 재료인 수소원자의 최소한 일부를 알킬기(基)를 함유하는 치환기(置換基) 및/또는 방향족환(芳香族環)을 함유하는 치환기에 의해 치환된 고분자 재료를 사용한다. 고분자 재료의 수소원자를 알킬기를 함유하는 치환기나 방향족환을 함유하는 치환기로 치환함으로써, 그 결과 고분자 재료를 구성하는 원자 전체에 차지하는 산소원자의 비율이 상대적으로 적어져, 고분자 재료 전체의 광학적인 흡수가 억제된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020000063523
첨부파일