프로세싱 시스템을 사용하는 에어 갭 구조 통합
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 |
| 출원번호 | 10-2016-7019332 |
| 출원일자 | 2016-07-15 |
| 공개번호 | 20160825 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 통합된 층 스택에 에어 갭 구조를 형성하기 위한 방법은, 프로세싱 시스템에서, 진공 하에, 스택 상에 배치된 몰드 층을 건식 에칭하는 단계를 포함한다.몰드 층은 하나 또는 그 초과의 인터커넥트들 사이에 배치되고, 몰드 층의 건식 에칭의 프로세스는, 인터커넥트들의 적어도 일부를 노출시킨다.방법은 또한, 인터커넥트들의 노출된 부분 위에 라이너 층을 증착하는 단계를 포함한다.다른 실시예에서, 통합된 층 스택에 에어 갭 구조를 형성하기 위한 방법은, 프로세싱 시스템에서의 제 1 프로세싱 챔버에서, 진공 하에, 스택 상에 배치된 산화물 몰드 층을 건식 에칭하는 단계를 포함한다.방법은 또한, 인터커넥트들 위에 저-k 재료 라이너 층을 증착하는 단계를 포함하고, 여기에서, 라이너는 약 2 나노미터 미만의 두께를 갖는다.본원에서 개시되는 방법들은, 진공을 파괴시키지 않으면서, 프로세싱 시스템에서 수행된다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167019332 |
| 첨부파일 |
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | H01L-021/768,C23C-016/30,C23C-016/36,H01L-021/02,H01L-021/311 |
| 주제어 (키워드) |