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투명 전자 소자 및 그 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	한국전자통신연구원
출원번호	10-2007-0132757
출원일자	2007-12-17
공개번호	20090629
공개일자	2010-06-09
등록번호	10-0961182-0000
등록일자	2010-05-26
권리구분	KPTN
초록	본 발명은 투명 전자 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, p-type 채널을 갖는 투명 전자 소자를 제조하는 경우, 저온에서 결정성 박막 형성이 용이한 물질로 버퍼층을 형성한 후 그 상부에 구리 산화물 계열 또는 ZnO 계열의 물질로 채널층을 형성함으로써, 저온 공정만으로도 p-type 채널층의 막질을 향상시켜 뛰어난 안정성을 갖는 p-type 투명 전자 소자를 제조할 수 있는 것을 특징으로 한다. 또한, p-type 채널과 n-type 채널을 동시에 형성할 수 있으므로 제조 공정 및 제조 비용을 절감할 수 있으며, 하드 마스크층을 이용하여 한번의 패터닝에 의해 소스 및 드레인을 형성할 수 있으므로 CMOS로 구현이 가능하여 디스플레이 구동 소자의 설계 마진 및 성능을 크게 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020070132757
첨부파일