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접지 표면 설계를 통한 플라즈마 프로세스 에칭-대-증착 비율 조절

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기관명	NDSL
출원인	노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
출원번호	10-2013-0135903
출원일자	2013-11-08
공개번호	20140522
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	방전 플라즈마의 속성들이 플라즈마의 접지 경로를 변경함으로써 제어되는 플라즈마 증착은, 임의의 플라즈마 증착 환경에서 잠재적으로 이용가능하지만, 이온화된 물리 기상 증착 (iPVD) 갭충진 애플리케이션에서 특정한 사용법을 발견한다.플라즈마 플럭스 이온 에너지 및 E/D 비율은 접지 경로 (접지 표면의 위치, 형상 및/또는 면적) 를 변경함으로써 제어될 수 있다.이러한 방식의 플라즈마 속성들의 제어는 플라즈마 제어를 위한 종래의 값비싸고 복잡한 RF 시스템들에 대한 의존성을 감소 또는 제거할 수 있다.높은 밀도의 플라즈마 소스에 대해, 이온화 분율 및 이온 에너지는 자체-스퍼터링이 임의의 RF 바이어스 없이도 발생할 수도 있기에 충분히 높을 수 있다.그리고, RF 유도된 스퍼터링과는 달리, 자체-스퍼터링은 협소한 이온 에너지 분포를 가지며, 이는 집적을 위한 더 양호한 프로세스 제어능력 및 더 큰 프로세스 윈도우를 제공한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020130135903
첨부파일