금속의 접촉 저항을 감소시키기 위한 장치 및 방법
기관명 | NDSL |
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출원인 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 |
출원번호 | 10-2014-0173134 |
출원일자 | 2014-12-04 |
공개번호 | 20151203 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 접촉 저항이 감소된 집적 회로를 위한 구조물이 개시된다. 상기 구조물은 기판, 상기 기판 상에 적층된 캡층, 상기 캡층 상에 적층된 유전체층, 및 상기 유전체층 내에 매립된 트렌치를 포함한다. 상기 트렌치는, 상기 트렌치의 측벽 상에 적층되며, 질소의 농도가 탄탈륨보다 더 높은 TaN층과, 상기 TaN층 위에 적층된 Ta층, 및 상기 Ta층 위에 적층된 Cu를 갖는다. 상기 구조물은 충전된 트렌치의 하단부에서 상기 트렌치 내에 통합된 비아를 더 포함한다. 실시예에서, TaN층 및 Ta층 모두가 물리적 기상 증착(PVD)으로 형성되고, 상기 TaN층은 적어도 20 sccm의 N 2 유플로우로 Ta 타겟을 플라즈마 스퍼터링함으로써 형성된다. 상기 구조물은 낮은 접촉 저항(Rc) 및 타이트한(tight) Rc 분포를 제공한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020140173134 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | |
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