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GAN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 PVD ALN 버퍼

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기관명	NDSL
출원인	어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
출원번호	10-2015-7028842
출원일자	2015-10-13
공개번호	20151126
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	GaN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 PVD AlN 버퍼가 개시된다.산소-제어된 방식으로 GaN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 PVD AlN 버퍼를 형성시키는 방법이 또한 개시된다.예로서, GaN-기반 광전자 또는 전자 장치를 위한 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층을 형성시키는 방법은 기판 상에 AlN 층을 반응성 스퍼터링시킴을 포함하고, 반응성 스퍼터링은 질소-함유 가스 또는 질소-함유 가스를 기반으로 한 플라즈마와 물리 기상 증착(PVD) 챔버에 수용된 알루미늄-함유 타겟을 반응시킴을 포함한다.이러한 방법은 산소를 AlN 층에 도입함을 추가로 포함한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157028842
첨부파일