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PECVD 미정질 실리콘 게르마늄(SIGE)

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기관명	NDSL
출원인	어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
출원번호	10-2016-7008890
출원일자	2016-04-04
공개번호	20160519
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명의 실시예들은 일반적으로, SiGe 층을 형성하기 위한 방법들에 관한 것이다.일 실시예에서, 먼저, 시드(seed) SiGe 층이 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)을 이용하여 형성되고, 벌크(bulk) SiGe 층이, 또한 PECVD를 이용하여 PECVD 시드 층 바로 위에 형성된다.시드 및 벌크 SiGe 층들 양자 모두를 위한 프로세싱 온도는 섭씨 450도 미만이다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167008890
첨부파일