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기존 구조에 대한 영향을 최소화하면서 실리콘에 산화물 박막을 성장시키는 방법 및 장치

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기관명	NDSL
출원인	맷슨 테크놀로지, 인크.
출원번호	10-2016-7016042
출원일자	2016-06-16
공개번호	20160630
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	플라즈마 보조 저온 라디칼 산화(plasma assited low temperature radical oxidation)가 설명된다.산화는 산화되는 실리콘에 추가하여 존재할 수 있는 금속 또는 금속 산화물에 선택적이다.선택성은 주로 O 2 가스에 대한 H 2 의 비인 공정 파라미터의 적합한 선택에 의해 달성된다.공정 윈도우는 플라즈마로 H 2 O 스팀을 주입함으로써 확대될 수 있으며, 이에 의해, TiN 및 W가 있는 경우에 상대적으로 낮은 온도에서 실리콘 산화를 가능하게 한다.선택적 산화는 원격 플라즈마를 가지며 기판으로 라디칼을 흐르게 하지만 이온이 기판에 도달하는 것을 차단하는 장치의 사용에 의해 개선된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167016042
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