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반도체 에칭공정 폐액을 이용한 제1인산암모늄의 제조방법

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기관명	NDSL
출원인	(주) 광진화학
출원번호	10-2004-0002075
출원일자	2004-01-12
공개번호	20080509
공개일자	2004-06-12
등록번호	10-0436173-0000
등록일자	2004-06-04
권리구분	KPTN
초록	본 발명은 반도체 에칭공정에서 부생되는 반응폐액으로부터 제1인산암모늄 (monoammonium phosphate)을 제조하는 방법에 관한 것으로, 반도체 에칭공정 폐액을 인산의 함량이 70-80wt%가 되도록 정제한 다음, 정제된 폐액을 비중이 1.4-1.5가 되도록 조절하고, 비중 조절된 폐액에 인산과 암모니아가 제1인산암모늄으로 전환 될 수 있는 화학양론비에 해당하는 당량비로 구성하도록 암모니아를 투입하고 0-1기압의 압력과 50-110℃의 온도, 15-40rpm의 교반속도에서 반응시키는 것을 특징으로 하며, 본 발명의 방법에 의하여 반도체 에칭공정에서 대량 발생되고 있는 반응폐액을 효과적으로 재활용할 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020040002075
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