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에칭 공정 폐액을 이용한 고농도 인산 정제 시스템 및인산 정제 방법

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기관명	NDSL
출원인	(주) 광진화학
출원번호	10-2004-0023986
출원일자	2004-04-08
공개번호	20080509
공개일자	2004-12-24
등록번호	10-0461849-0000
등록일자	2004-12-06
권리구분	KPTN
초록	본 발명은 에칭 공정에서 대량 발생하는 반응 폐액을 정제하여 인산의 함량을 높인 고농도의 인산을 정제하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 정제된 고농도의 인산을 이용하여 알루미늄 등의 금속 표면에 스크래치가 발생하는 것을 억제하고 표면에 광택을 부여하는 등의 화학 연마 또는 세정제의 수계 분산체의 주성분으로 사용할 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020040023986
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