반도체 소자용 금속배선의 형성방법
기관명 | NDSL |
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출원인 | 삼성전자주식회사 |
출원번호 | 10-2007-0077267 |
출원일자 | 2007-08-01 |
공개번호 | 20090209 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 확산방지막은 구리원자의 확산을 방지하는 역할을 하며, 탄탈륨, 탄탈륨 나이트라이드, 티타늄 나이트라이드와 같은 금속막으로 형성될 수 있다. 상기 시드층은 구리도금막이 형성될 수 있는 핵 생성 자리들(nucleation sites)을 제공한다. 상기 시드층은 구리 또는 알루미늄으로 형성될 수 있으며, 물리기상증착 또는 화학기상증착 기술에 의해 형성될 수 있다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020070077267 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | |
주제어 (키워드) |