기업조회

본문 바로가기 주메뉴 바로가기

특허/실용신안

반도체 소자용 금속배선의 형성방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 삼성전자주식회사
출원번호 10-2007-0077267
출원일자 2007-08-01
공개번호 20090209
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 확산방지막은 구리원자의 확산을 방지하는 역할을 하며, 탄탈륨, 탄탈륨 나이트라이드, 티타늄 나이트라이드와 같은 금속막으로 형성될 수 있다. 상기 시드층은 구리도금막이 형성될 수 있는 핵 생성 자리들(nucleation sites)을 제공한다. 상기 시드층은 구리 또는 알루미늄으로 형성될 수 있으며, 물리기상증착 또는 화학기상증착 기술에 의해 형성될 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020070077267
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE
주제어 (키워드)