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반도체 소자의 제조방법

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기관명	NDSL
출원인	주식회사 하이닉스반도체
출원번호	10-2007-0102825
출원일자	2007-10-11
공개번호	20090424
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	반도체 소자의 제조방법이 개시되어 있다. 반도체 소자의 제조방법은, 반도체 기판 상에 도전막 및 베리어막을 형성하는 단계와, 베리어막 상에 형성된 일원자증착(Atomic Layer Deposition)층에 핵성장 가스를 제공하여 핵생성층을 형성하는 단계와, 핵생성층 상에 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition) 공정에 의하여 금속막을 형성하는 단계를 포함한다. 이로써, 본 발명에 따른, 베리어막 상에 형성된 일원자증착층에 핵성장 가스를 제공 및 핵성장 가스 퍼지 과정을 적어도 1번 반복하여 핵생성층을 형성해줌으로써, 금속막의 거칠기(Roughness) 및 비저항을 개선할 수 있는 효과가 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020070102825
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