| 초록 |
본 기술은 전하포획막을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술은 비휘발성 메모리 소자 제조 방법에 있어서, 기판 상에, 터널절연막을 형성하는 단계; 상기 터널절연막 상에, 불순물을 결정핵으로 이용하여 형성된 전하저장용 시드를 포함하는 전하포획막을 형성하는 단계; 상기 전하포획막 상에, 전하차단막 및 게이트 전극용 도전막을 차례로 형성하는 단계를 포함한다. 본 기술에 따르면, 1 내지 3개의 원자로 이루어지는 전하저장용 시드를 형성할 수 있으며, 전하저장용 시드의 크기 및 분포를 균일하게 조절하여 메모리 소자의 셀 분포를 개선할 수 있다. 또한, N 타입 또는 P 타입의 불순물을 결정핵으로 이용함으로써, 전하저장용 시드를 원하는 타입으로 형성할 수 있으며, 전하트랩막 사이에 전하저장용 시드를 포함하는 절연막을 적층시킴으로써, 종래의 전하트랩형 비휘발성 메모리 소자에 비해 프로그램/소거 속도를 개선할 수 있을 뿐만 아니라, 데이터 리텐션 특성도 개선할 수 있다. 또한, 터널절연막의 두께를 종래에 비해 감소시킬 수 있다. |
