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식각 방법

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기관명	NDSL
출원인	성균관대학교산학협력단
출원번호	10-2011-0018142
출원일자	2011-02-28
공개번호	20121012
공개일자	2012-10-08
등록번호	10-1188506-0000
등록일자	2012-09-27
권리구분	KPTN
초록	본 발명은 식각 방법에 관한 것이다.상기 식각 방법은 2 이상의 박막의 적층구조를 포함하는 피식각물의 식각 방법에 있어서, 플라즈마 식각을 이용하는 건식 식각 단계; 중성빔 식각을 이용하는 중성빔 식각 단계; 및 중성빔 원자층 식각을 이용하는 중성빔 원자층 식각 단계 중에서 선택되는 2 이상의 식각 단계의 조합에 의해 수행할 수 있다.본 발명에 따르면, 피식각물에 전기적 및 물리적 손상을 최소화할 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020110018142
첨부파일

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