| 초록 |
본 발명은, 주입구를 통해 주입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 추출하는 이온소오스와, 상기 이온소오스의 한쪽 단부에 위치하며, 특정 극성의 이온빔을 가속시키는 복수개의 그리드홀이 형성된 그리드 어셈블리 및, 상기 그리드 어셈블리의 그리드홀에 대응하는 복수개의 반사체홀이 형성되어 있으며, 상기 그리드홀을 통과한 이온빔을 상기 반사체홀에서 반사시켜 중성빔으로 전환시키는 반사체를 구비하여 구성되는 중성빔발생장치와, 상기 반사체의 단부에 위치되고, 주입구를 통해 가스가 주입될 수 있으며, 상기 반사체에서 발생된 중성빔의 진행경로상에 피처리기판을 위치시킬 수 있는 스테이지를 포함하는 반응챔버 및, 상기 피처리기판에 증착될 반응물질의 플럭스가 스퍼터링에 의해 생성되는 복수개의 타겟부를 구비하여 구성되고, 상기 반사체의 반사체홀은, 상기 그리드 어셈블리에서 가속된 플럭스가 입사되는 입사면에서의 플럭스 입사면적(A1) 보다 반사체에서 출사되는 중성빔 플럭스의 출사면적(A2)이 크게되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 중성빔발생장치를 갖춘 물리적기상 증착장치를 제공한다. 또한, 본 발명은, 주입구를 통해 주입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 추출하는 이온소오스와, 상기 이온소오스의 한쪽 단부에 위치하며, 특정 극성의 이온빔을 가속시키는 복수개의 그리드홀이 형성된 그리드 어셈블리 및, 상기 그리드 어셈블리의 그리드홀에 대응하는 복수개의 반사체홀이 형성되어 있으며, 상기 그리드홀을 통과한 이온빔을 상기 반사체홀에서 반사시켜 중성빔으로 전환시키는 반사 체를 구비하여 구성되는 중성빔발생장치와, 상기 반사체의 단부에 위치되고, 주입구를 통해 가스가 주입될 수 있으며, 상기 반사체에서 발생된 중성빔의 진행경로상에 피처리기판을 위치시킬 수 있는 스테이지를 포함하는 반응챔버 및, 상기 피처리기판에 증착될 반응물질을 서멀 또는 이빔방식으로 증발시키는 복수의 소스부를 구비하여 구성되고, 상기 반사체의 반사체홀은, 상기 그리드 어셈블리에서 가속된 플럭스가 입사되는 입사면에서의 플럭스 입사면적(A1) 보다 반사체에서 출사되는 중성빔 플럭스의 출사면적(A2)이 크게되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 중성빔발생장치를 갖춘 물리적기상 증착장치를 제공한다. |
