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특허/실용신안

물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 한국생산기술연구원
출원번호 10-2011-0095729
출원일자 2011-09-22
공개번호 20121026
공개일자 2012-10-24
등록번호 10-1194060-0000
등록일자 2012-10-17
권리구분 KPTN
초록 본 발명의 일 실시예는 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 결정화 시간이 상대적으로 짧고, 결정 크기가 상대적으로 크며, 결정화 분율 및 캐리어 농도가 높고, 또한 대면적화 및 고품질화가 용이하며, 저온 공정이 가능한 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지를 제공하는데 있다. 이를 위해 본 발명의 일 실시예는 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 상기 기판에 제1비정질 실리콘층을 증착하는 제1비정질 실리콘층 증착 단계; 상기 제1비정질 실리콘층에 전자빔을 조사함으로써 다결정질 실리콘으로 결정화하는 씨앗층 형성 단계; 상기 씨앗층에 제2비정질 실리콘층을 증착하는 제2비정질 실리콘층 증착 단계; 및 상기 제2비정질 실리콘층에 전자빔을 조사함으로써 다결정질 실리콘으로 결정화하는 흡수층 형성 단계로 이루어진 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지를 제공한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020110095729
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-031/042,H01L-031/0216,H01L-031/18
주제어 (키워드)