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특허/실용신안

유기 발광 다이오드용 기판, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 다이오드

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 포항공과대학교 산학협력단
출원번호 10-2011-0078630
출원일자 2011-08-08
공개번호 20130222
공개일자 2013-06-24
등록번호 10-1275828-0000
등록일자 2013-06-11
권리구분 KPTN
초록 본 발명은 제1전극, 정공층, 발광층, 전자층 및 제2전극이 상면에 형성되는 유기 발광 다이오드용 기판, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 다이오드에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드용 기판은, 광투과성을 가진 기판부재, 및 상기 기판부재의 상면에 형성되는 공명 억제층을 포함하되, 상기 공명 억제층은 상기 기판부재와 상기 제1전극의 계면에서 표면 플라즈마 공명이 발생하는 것을 억제하도록 상기 제1전극의 유전율의 절대값보다 큰 양의 유전율을 갖는 유전체 물질로 이루어진다. 본 발명에 의하면, 제1전극의 유전율의 절대값보다 큰 양의 유전율을 갖는 유전체 물질로 이루어져 상기 제1전극과의 계면에서 표면 플라즈마 공명이 발생하는 것을 억제하는 공명 억제층이 구비됨으로써, 발광층에서 발생한 빛이 표면 플라즈마 공명으로 흡수, 산란되지 않게 하여 유기 발광 다이오드의 광 추출효율을 제고할 수 있고, 이러한 공명 억제층은 추가적인 리소그래피 공정이나 패터닝 공정에 의하지 않고 일반적인 반도체 공정에서 사용되는 물리적, 화학적 기상법으로 간편하면서도 저렴한 비용으로 제조될 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020110078630
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-051/50,H05B-033/22,H01L-051/56
주제어 (키워드)