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도핑된 영역을 세정하고 도핑된 영역 위에 음으로 대전된 패시베이션 층을 형성하는 방법

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기관명	NDSL
출원인	어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
출원번호	10-2012-7017830
출원일자	2012-07-09
공개번호	20120824
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	일반적으로, 본 발명은 표면을 준비함으로써 및/또는 실리콘 함유 층 상에 고품질의 패시베이션 층의 적어도 일부를 형성함으로써 높은 효율의 태양 전지 장치를 형성하는 방법을 제공한다.본 발명의 실시예는 고품질의 패시베이션 층이 상부에 형성될 수 있도록 실리콘 기판 상에 형성된 p-타입 도핑된 영역의 표면을 준비하는데 특히 유용하다.일 실시예에서, 그러한 방법은 세정하기 위해서 그리고 표면의 물리적, 화학적 및/또는 전기적 성질을 변화시키기 위해서 태양 전지 기판의 표면을 플라즈마에 노출시키는 단계를 포함한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020127017830
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