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원격 플라즈마 발생장치를 이용한 웨이퍼 뒷면 건식 식각방법

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기관명	NDSL
출원인	주식회사 테라텍
출원번호	10-2011-0059609
출원일자	2011-06-20
공개번호	20120416
공개일자	2012-04-05
등록번호	10-1131740-0000
등록일자	2012-03-23
권리구분	KPTN
초록	본 발명은 반응기(Chamber) 외부에서 플라즈마를 발생시켜 고효율의 활성종(Radical)을 만들어 반응기 내부로 공급하여 건식식각(Dry Etching)을 진행함으로써 반도체 소자(Device)를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 가장 큰 특징은 반응기 외부에서 플라즈마를 발생시켜 반응용 활성종(Radical)을 만들어 웨이퍼가 있는 반응기로 공급하는 것이며, 소자가 형성되어 있는 웨이퍼의 앞면에 물리적, 화학적 손상을 주지 않으며 뒷면만을 건식식각 하는 공정을 수행하도록 하는 방식을 특징으로 한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020110059609
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