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특허/실용신안

이온빔을 이용한 이종세포의 패턴 형성 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 ,
출원번호 10-2011-0061161
출원일자 2011-06-23
공개번호 20110812
공개일자 2012-04-03
등록번호 10-1131110-0000
등록일자 2012-03-21
권리구분 KPTN
초록 본 발명은 이온빔을 이용한 이종세포의 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 각종 기판 위에 생체분자의 흡착방지용 고분자 박막을 형성시킨 다음, 이온빔을 선택적으로 조사하여 생체분자의 흡착방지용 고분자 패턴을 형성시키고, 이후에 1차 세포를 배양하여 1차 세포 패턴을 형성시킨 후, 2차 세포를 배양하여 이종세포의 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 다양한 재료 위에 손쉽게 다양한 모양 및 크기의 생체분자의 흡착방지용 고분자 패턴을 형성할 수 있으며, 이를 통하여 다양한 형태의 이종세포의 패턴을 형성할 수 있고, 이종세포의 패턴을 형성하는 과정이 매우 간단하고 생체적합성이 매우 뛰어나, 신약 진단 시스템이나 생화학 무기 및 병원균의 검출을 위한 세포 센서나 세포 칩, 피부재생을 위한 조직공학 등의 분야뿐만 아니라 세포-세포, 세포-표면, 세포-매트릭스 사이의 상호작용 등 같은 기본적인 세포생물학을 연구하는 학문적인 분야에도 매우 유용하게 적용될 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020110061161
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE C12Q-001/24,C12M-001/42,C12Q-001/02
주제어 (키워드)