| 초록 |
본 발명은 산화아연 나노로드 패턴의 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 산화아연 나노로드 패턴에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명은 기판상에 산화아연 씨앗층을 형성하는 단계(단계 1); 아연 전구체 수용액 및 아민류 화합물 수용액을 혼합하여 수열합성용 전구용액을 제조하는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 제조된 전구용액을 상기 단계 1에서 씨앗층이 형성된 기판 위에 적가하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3의 기판에 레이저를 조사하여 나노로드의 성장 및 패터닝을 동시에 수행하는 단계(단계 4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 패턴의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 산화아연 나노로드 패턴은 수열합성법 및 레이저 조사를 이용하여 산화아연 나노로드의 성장 및 패터닝을 동시에 수행할 수 있고, 레이저 조사시간을 조절하여 원하는 크기 및 밀도의 산화아연 나노로드 무리로 패턴을 제조하여 마이크로 전자장치, 광전소자, 광학기억장치, 화학센서 및 바이오센서 등을 제작하는 데 용이하게 사용될 수 있다. |
