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SOI 로직 회로의 바이어스 회로

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기관명	NDSL
출원인	경희대학교 산학협력단
출원번호	10-2012-0018615
출원일자	2012-02-23
공개번호	20130621
공개일자	2014-04-08
등록번호	10-1383510-0000
등록일자	2014-04-02
권리구분	KPTN
초록	본 발명은 SOI 로직 회로의 바이어스 회로에 관한 것으로, 보다 구체적으로 SOI 로직 회로의 비동작 상태에서는 SOI 로직 회로를 고립시켜 방사능 입자에 노출되기 쉬운 우주 등의 열악한 환경에서 일시적 전도성 경로로 인해 SEU가 발생하는 것을 막아주며, SOI 로직 회로의 입력 신호와 출력 신호가 전이되는 동작 상태에서만 SOI 로직 회로의 입력 신호와 출력 신호에 따라 SOI 로직 회로를 구성하는 N-MOS와 P-MOS의 바디 전원을 고정 유지함으로써, 고립 바디로 인해 발생하는 히스토리 효과, 킨즈 효과를 방지할 수 있는 바이어스 회로에 관한 것이다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020120018615
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